tecnologia / junio 19, 2009 / 2 min de lectura / 👁 103 visitas

El telurido de bismuto podria sustituir al silicio en la producción de chips

s1l1c10Especialistas del Laboratorio Nacional de Aceleración (EEUU) y de la Universidad de Stanford han confirmado la existencia de un nuevo tipo de material que podría algún día proporcionar chips de ordenador drásticamente más rápidos y eficientes.

Este material permite a los electrones viajar en su superficie sin pérdida de energía a temperaturas ambientales y puede ser fabricado utilizando las actuales tecnologías de

El telurido de bismuto podria sustituir al silicio en la producción de chips

s1l1c10Especialistas del Laboratorio Nacional de Aceleración (EEUU) y de la Universidad de Stanford han confirmado la existencia de un nuevo tipo de material que podría algún día proporcionar chips de ordenador drásticamente más rápidos y eficientes.

Este material permite a los electrones viajar en su superficie sin pérdida de energía a temperaturas ambientales y puede ser fabricado utilizando las actuales tecnologías de semiconductores. Dicho material podría proporcionar un salto en la velocidad de los microchip e incluso convertirse en punto de partida de una completamente nueva clase de industria de los computadores basada en la espintrónica, la próxima evolución de la electrónica.

Los físicos Yulin Chen y Zhi-Xun Shen probaron el comportamiento de los electrones en el compuesto en cuestión, el telurido de bismuto (en la imagen se muestra su estructura con un electrón en superficie).

Los resultados, publicados en la última edición online de ‘Science Express’ muestran una clara firma de lo que se denomina un aislante topológico, un material capaz de propiciar la libre circulación de electrones a lo largo de su superficie sin pérdida de energía. El avance es más significativo ya que estos investigadores han comprobado dicha propiedad a temperatura ambiente.

Pronto podría ser momento para rebautizar el Valle del Silicio, símbolo de la industria tecnológica estadounidensecativo.

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